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第44章 给老杨上眼药（第2页）

第二个办法还真就靠谱，他们马上就要碰到坎儿了。

业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm技术节点，而157nm将成为主流技术。

然而，157nm光刻技术遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。

这是由于绝大多数材料都会强烈地吸收157nm的光波，所以这个就是他们的坎儿。”

“你仔细和我说说。”

“现在国外几家大厂都是使用DUV，也就是深紫外光，通过氟化氪KrF准分子激光来产生波长248nm的光，这种光刻机是现在的主流，他们实验室里现在已经基本研发完了通过氟化氩ArF准分子激光来产生波长193nm光波的下一代光刻机，193nm光刻机没问题。

但用F2准分子激光产生波长157nm的光就是个大坑了，他们过不去了，技术解决不了。

瓶颈出现了，咱们追赶的机会来了。”

“那他们的解决办法是什么？”

“研发EUV光刻机，也就是极紫外光刻技术。

极紫外光刻使用波长在13.5nm的软X射线来光刻，相当于用了一把更小、更锋利的‘刀’。

极紫外光刻是5nm等更先进制程的必需工艺。

但因为EUV不能穿透透镜，只能用特殊的反射镜来对焦，这样EUV的能量损失会很大，需要更长的曝光时间，会严重影响生产速度，这也就是EUV光刻机难以大规模量产的原因。

因此我确信EUV光刻技术15年内完成不了原型机，20年内量产无望。”

“你确定？”

“我十分确定一定以及肯定。

我了解到的信息是荷兰阿斯麦公司会联合花旗国的几家企业攻坚EUV这个难题，不带咱们玩，当然，他们也不代表日系厂商玩。

尼康和佳能会死磕157nm光刻机，这个是死路一条，等到他们衰落下去了咱们可以联合他们在国内建厂，吸收他们的技术以后，再一起研发EUV光刻机，7nm以下的制程，DUV光刻机就不行了。”

“等等，你说DUV光刻不能达到7nm以下？那你的意思是说DUV光刻能突破65nm，甚至28nm、14nm直至7nm？”

“不错，能，甚至14nm，7nm都可以，但比较麻烦。”

“怎么做？你怎么研究的？”

“怎么研究的你就别管了。

我接下来说的话你谁都不能说，包括在网络上，你看我特意找你办公室来聊，连icq都不用，你就知道问题的严重性了。”

“有必要这么谨慎吗？”

“当然有必要啦。

此前，芯片制造工艺的更新换代是以3年为一个周期，但Intel率先将这个周期缩短为2年。

Intel公司在1995年实现了0.35微米工艺量产，1997年他们会推出0.25微米产品，1999年就是0.18微米工艺，到了2001年则实现0.13微米产品的量产。

英特尔在忠实地践行着摩尔定律啊。”

“两年一个更新换代，这是要弄死AMD啊。”

“这才好啊，这样咱们就可以拉拢AMD，对抗intel了啊。

不过呢，这只可能是一个幻想罢了，英特尔、AMD和微软之间肯定是有默契的，他们会联合起来搞死其他所有人，然后他们自己再慢慢玩，但英特尔和AMD谁也不会被玩死，否则他们就涉嫌垄断了。”